RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3054
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link