Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 68

Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.3 1,702.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

654 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns