RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2680
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link