RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2910
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link