RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3013
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link