RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
1809
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link