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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 70% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
77
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
8.0
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1809
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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