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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
41
读取速度,GB/s
12.0
12.5
写入速度,GB/s
7.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2417
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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