RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
44
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2523
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link