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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
44
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2523
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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