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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Compara
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
49
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2382
2668
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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