RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Porównaj
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2382
2668
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link