RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
64
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2052
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link