RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2844
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link