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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Confronto
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno 43% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
49
Velocità di lettura, GB/s
12.2
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2382
2668
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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