RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2302
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link