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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1919
3629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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