RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3801
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link