RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2915
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link