RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2328
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link