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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2328
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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