RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2383
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link