RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3518
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link