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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3518
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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