RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3070
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link