RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3666
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link