RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2336
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link