RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2336
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link