RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2676
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link