RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2676
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link