RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3393
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link