RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3055
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link