RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3465
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link