RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2663
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link