RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2595
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link