RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2574
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link