RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
37
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3540
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link