RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3609
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link