RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3609
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link