RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3697
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link