RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3668
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link