RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
37
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3668
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link