RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2256
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link