Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.2 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.4 6.3

Średnia wartość w badaniach

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 37

Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

37 24
Prędkość odczytu, GB/s

13.2 12.7
Prędkość zapisu, GB/s

8.4 6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 17000

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2143 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB