RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
75
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
75
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1548
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link