RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2735
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link