RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2637
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link