RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
37
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2637
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link