RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3023
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link