RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3036
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link