RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2983
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link